什么是 Rowhammer DRAM 错误，我应该如何处理它？

您引用的 CMU-Intel 论文显示（第 5 页）错误率在很大程度上取决于 DRAM 模块的部件号/制造日期，并以 10-1000 倍的系数变化。还有一些迹象表明，这个问题在最近（2014 年）制造的芯片中并不那么明显。

您引用的数字“9.4x10^-14”是在称为“PARA”的拟议理论缓解机制的上下文中使用的（可能类似于现有的缓解机制 pTRR（伪目标行刷新）），与您的问题，因为PARA与ECC无关。

第二篇 CMU-Intel 论文（第 10 页）提到了不同 ECC 算法对错误减少的影响（因子 10^2 到 10^5，可能更多的是复杂的内存测试和“保护带”）。

ECC 有效地将 Row Hammer 漏洞利用转化为 DOS 攻击。1 位错误将由 ECC 纠正，一旦检测到不可纠正的 2 位错误，系统将停止（假设为 SECDED ECC）。

一种解决方案是购买支持 pTRR 或 TRR 的硬件。请参阅Cisco 当前关于 Row Hammer 的博客文章。至少一些制造商似乎在他们的 DRAM 模块中内置了其中一种缓解机制，但在他们的规格中将其深深隐藏。要回答您的问题：询问供应商。

更快的刷新率（32 毫秒而不是 64 毫秒）和激进的巡逻擦洗间隔也有帮助，但会对性能产生影响。但我不知道任何实际上允许微调这些参数的服务器硬件。

我想除了终止具有持续高 cpu 使用率和高缓存未命中率的可疑进程之外，您在操作系统方面无能为力。

情况似乎仍然很不清楚，所以我认为您的问题无法直接回答，但这里有一些相对较新的信息作为部分答案。有关新闻，请关注rowhammer-discuss邮件列表。

我不确定目前是否有可能通过公开信息避免购买易受攻击的 RAM，也不能轻松预测现有硬件的故障率。制造商尚未公开有关其产品如何受到影响的信息。可以使用软件工具测试已购买的内存，但您应该知道，长时间（数小时）运行这些工具可能会永久降低 RAM 性能并导致运行软件出现故障。

据报道，“未命名的内存公司”试图行贿以换取 Passmark Software 未在其 Memtest86 工具中发布 rowhammer 测试。

据报道，英特尔 Skylake 硬件更容易受到攻击，而不是更少，因为添加了新clflushopt指令。这已经在 rowhammer.js 中被利用

Daniel Gruss在本次演讲中回答了一些关于截至 2015 年 12 月的缓解问题（rowhammer.js 论文的合著者）：

1. 虽然一些 ECC RAM 比非 ECC RAM 更不容易受到 rowhammer 的攻击，但其他 ECC RAM 比非 ECC RAM 更容易受到攻击（视频中的问题链接）
2. 切换到更快的刷新率足以防止大多数但不是所有硬件的行锤 - 但并非所有 BIOS 都允许更改刷新率（视频中的问题链接）。

作为对策，也许可以检测到正在进行的 rowhammer 攻击，但我不知道那已经完成了。