我有一台配备双英特尔至强 E5503 CPU 的戴尔 PowerEdge R710。它有 96GB（12x8GB）的 ECC DIMM。在其 BIOS 中，内存配置为“高级 ECC”。
我的问题是，如果我的 DIMM 已经是 ECC，在 BIOS 中启用这种“高级 ECC”模式是否有意义，还是我应该切换到“优化”？
戴尔这样描述这些模式：
高级 ECC 模式 此模式使用两个 MCH 并将它们“绑定”在一起以模拟 128 位数据总线 DIMM。这主要用于实现基于 x8 DRAM 技术的 DIMM 的单设备数据校正 (SDDC)。在每种内存模式下，基于 x4 的 DIMM 都支持 SDDC。一个 MCH 完全未使用，安装在该通道中的任何内存都会在 POST 期间生成一条警告消息。
内存优化模式在此模式下，MCH 彼此独立运行；例如，一个可以空闲，一个可以执行写操作，另一个可以准备读操作。内存可以安装在一个、两个或三个通道中。为了充分实现内存优化模式的性能优势，每个 CPU 的所有三个通道都应该被填充。这意味着某些“非典型”内存配置（例如 3GB、6GB 或 12GB）将产生最佳性能。除非需要特定的 RAS 功能，否则这是推荐的模式。
它确实有所不同，只有当您需要 x4 或 x8 设备上的 RAS（可靠性、可用性和服务）功能并了解您的需求的权衡时，它才有意义。更多详细信息可以在戴尔白皮书Dell™ PowerEdge™ Servers 2009 - Memory中进行解释。
此外，在 PowerEdge R710 的技术指南中提供了包含 R710 特定详细信息的配置和布局 - （谷歌这个因为我没有链接的声誉）。
需要注意的重要问题是芯片上的 ECC 与戴尔 BIOS 为单设备数据校正 (SDDC) 提供的“高级 ECC”之间的区别。您将对两者产生性能影响。ECC 将在写入芯片期间从错误中恢复。然而，SDDC 更进一步，将组织这些位，以便整个芯片可以发生故障并且仍然可以恢复。查看示例和详细信息SDDC E7500 芯片组
问题是您的性能和/或可靠性是否是您对机器的特定使用最关心的问题。如果芯片故障会导致关键数据丢失或在这台机器上使用，并且在实施中没有冗余，则高级 ECC 可能是一个不错的选择。但是，您这样做会对性能产生影响，这对您来说可能更重要。
我已经在 Dell PowerEdge 服务器上为单个 Microsoft SQL Server 实施现场实施了这两种方法。如果我能提供更多帮助，请发表评论让我知道。
希望有所帮助。
编辑：覆盖范围差距/ECC 实施
是的，即使您同时实施两者，也存在覆盖缺口。由于您专门使用高可用性服务器集群，恕我直言，您应该使用高级 ECC。与集群设备的好处相比，您对性能的影响微乎其微。根据 Crucial 的说法，一般而言，ECC 内存的性能仅降低 2% 。
差距将更具体地针对发生的错误类型以及每个错误的处理方式。在您的特定情况下，它不应转化为数据丢失。由于这是一个企业 DBMS，错误、并发问题等在软件级别进行管理，以防止数据丢失。在正确配置的 DBMS 中保存了详细的更改历史记录，并且使用它的软件通常可以设置为在发生严重错误时让事务“回滚”。
ECC 实施
ECC 将尝试纠正内存读/写中的任何位错误。但是，如果错误更严重，则即使是 ECC 也无法恢复，从而可能导致数据丢失。在ServerFault/What is ECC ram and why is it better?上也有更多关于 ECC 的讨论。
根据ECC_Memory 上的维基百科
SDDC
如果您参考上面的 E7500 芯片组文档（注意Intel 的 55xx/56xx 需要登录/合作，但想法相似，这就是我最初没有链接的原因），它描述了 SDDC 及其实现方式。基本上，它使用一种技术来组织写入内存的字，确保所有的字都以这样的方式写入，即每个字只包含一个位错误，即该字应该可以从单位错误中恢复（如上所述）。 现在这是每个字，因此它可能会通过纠错每个字从 x4 设备上最多 4 位错误（每个字 1 个）和 x8 设备上最多 8 位错误（每个字仍然 1 个）中恢复。
额外的错误、更多的位错误、总内存故障、通道故障、总线故障等仍然会导致可怕的问题，但这就是您拥有集群和企业 DBMS 的原因。
简而言之，如果您启用了所有功能，并且纠错算法无法纠正的位错误太多，您仍然会遇到错误，即错误覆盖率差距。不过，这些可能非常罕见。