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BEsmart
Asked: 2024-12-28 06:47:43 +0800 CST

编写新代码时保留 EEPROM 模拟区域 - STM32 - VScode - JLink

  • 772

我正在使用最后一个闪存页面（第 31 页：0x0800 F800 - 0x0800 FFFF2）作为 STM32G030C8 上的 eeprom 仿真区域。
我正在使用 VScode 并通过 USB 使用 JLink 对闪存进行编程/调试。
有没有办法防止在编程新代码时擦除 eeprom 仿真区域，因为那里存储了一些校准数据？

visual-studio-code

1 个回答

  1. Best Answer

    （1）修改链接脚本'STM32G030C8Tx_FLASH.ld'，添加EE仿真区域

        MEMORY
    {
    RAM (xrw)      : ORIGIN = 0x20000000, LENGTH = 8K
    FLASH (rx)      : ORIGIN = 0x8000000, LENGTH = 62K
    EMULATED_EEPROM    (xrw)   : ORIGIN = 0x0800F800,   LENGTH = 2K
    }

    /* Define output sections */
    SECTIONS
    {
        /* The startup code into "FLASH" Rom type memory */
      .ourData :
      {
        . = ALIGN(4);
        *(.ourData)
        . = ALIGN(4);
      } >EMULATED_EEPROM
.
.
.

    （2）更改链接器脚本名称（例如 STM32G030C8Tx_EE_FLASH.ld），以便 MXCube 在更新代码时不会将其删除
    （3）像这样修改“CMakeLists.txt”中的链接器脚本路径

    # Set linker script
set(linker_script_SRC   ${PROJ_PATH}/STM32G030C8Tx_EE_FLASH.ld)
set(EXECUTABLE          ${CMAKE_PROJECT_NAME})

    我一直在读取内存区域，似乎运行良好。
    如果有任何错误或需要改进的地方，请提供反馈。

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